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FQA9N90C-F109 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FQA9N90C-F109 product

FQA9N90C-F109

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal900VLeistung

Der FQA9N90C-F109 ist ein abgekündigter 900V, 9A N-Kanal-MOSFET im TO-3PN-Gehäuse, der für Hochspannungs-Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Elektronische Lampenvorschaltgeräte

Vermeiden, wenn

  • Neue Designs, die eine langfristige Verfügbarkeit erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Verfügbarkeit prüfen und moderne Alternativen in Betracht ziehen

Wichtige Specs

Vdss
900 V
Id
9 A
Rds(on)
1,4 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

NetzteileBeleuchtung

Datenblatt

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FQA9N90C-F109 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET für Hochspannungsanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von 900V und einem Dauerstrom von 9A.