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FQB19N20TM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FQB19N20TM product

FQB19N20TM

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VLeistung

Der FQB19N20TM ist ein 200V, 19.4A N-Kanal QFET-MOSFET im D2PAK-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Elektronische Lampenvorschaltgeräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ladung oder extrem hohe Schaltfrequenzen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen des D2PAK-Gehäuses.

Wichtige Specs

Vdss
200 V
Id
19.4 A
RDS(on)
150 mΩ
Gehäuse
D2PAK

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

1595569.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FQB19N20TM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf planarer Stripe- und DMOS-Technologie basiert und für geringen Einschaltwiderstand optimiert ist.