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FQD12N20LTM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FQD12N20LTM product

FQD12N20LTM

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VDPAK

Der FQD12N20LTM ist ein 200V, 9A N-Kanal-MOSFET im DPAK-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Netzteile
  • PFC-Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Vdss
200 V
Id
9 A
Rds(on)
280 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

46237.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FQD12N20LTM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal QFET®-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlungen entwickelt wurde und sich durch niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung auszeichnet.