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FQD13N10L-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FQD13N10L-HXY product

FQD13N10L-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100V

Der FQD13N10L ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler konzipiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem hohen Zuverlässigkeitsanforderungen oder lebenserhaltende Systeme

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
15 A
RDS(on)
112 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

10ca7e990835add88d1bb68a49832d41_2404231719_HXY-MOSFET-FQD13N10L-HXY_C22367151.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FQD13N10L-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET in Trench-Technologie mit einer Nennspannung von 100V und einem Strom von 15A.