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FQD2N60CTM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FQD2N60CTM product

FQD2N60CTM

MOSFETs - Single

MOSFET600VN-KanalD-PAK

Der FQD2N60CTM ist ein 600V, 1.9A N-Kanal-MOSFET im D-PAK-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Elektronische Lampenvorschaltgeräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen sehr niedrigen RDS(on) oder eine Strombelastbarkeit über 1,9A erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen und Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

VDSS
600 V
ID
1,9 A
RDS(on)
4,7 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
nan
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

46291.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FQD2N60CTM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 600V N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der auf der planaren Streifen-DMOS-Technologie basiert und für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.