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FQD50N06-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FQD50N06-HXY product

FQD50N06-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60V50A

Der FQD50N06-HXY ist ein 60V, 50A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für niedrigen Einschaltwiderstand und effizientes Schalten.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Schwellenspannungen unter 1,2V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei 50A

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
50 A
RDS(on)
15 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungIndustrie

Datenblatt

31f519690cfeac249b6fa80b735b1735_2301040930_HXY-MOSFET-FQD50N06-HXY_C5337189.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FQD50N06-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für effizientes Schalten mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 60V und einer Strombelastbarkeit von 50A.