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FQD7P06-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FQD7P06-HXY product

FQD7P06-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET60VTrench

Der FQD7P06 ist ein P-Kanal-MOSFET mit -60V und -10A im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • Bürstenlose Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige RDS(on)-Werte oder sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-10 A
RDS(on)
< 140 mΩ
Gehäuse
TO-252-2L

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

1183445995bf9694a7e8039622743ebb_2404231718_HXY-MOSFET-FQD7P06-HXY_C22366778.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FQD7P06-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der FQD7P06 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert und für effizientes Schalten ausgelegt ist.