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FQT7N10LTF-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FQT7N10LTF-ES product

FQT7N10LTF-ES

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VSOT-223

Der FQT7N10LTF-ES ist ein 100V, 4A N-Kanal-MOSFET im SOT-223-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC-DC-Wandlung.

Ideal für

  • DC-DC-Wandlung
  • Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 4A Dauerstrom

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
100 V
Dauerstrom
4 A
Einschaltwiderstand
120 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementDC/DC-Wandlung

Datenblatt

295a4dfa4d0f83a8a6541634e1290f44_2406121142_ElecSuper-FQT7N10LTF-ES_C22464635.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FQT7N10LTF-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert, um einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung zu bieten.