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FTD150N10N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FTD150N10N product

FTD150N10N

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100V

Der FTD150N10N ist ein N-Kanal-MOSFET mit 100V Drain-Source-Spannung, optimiert für Schaltnetzteile, Ladegeräte und Adapter.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Ladegeräte
  • Adapter

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen mit extrem niedriger Gate-Ladung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Treiber-Kompatibilität

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
14 A
Rds(on)
113 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileLadegeräte

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FTD150N10N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 100V und einem Dauerstrom von 14A.