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FWP201610P-2R2ML KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FWP201610P-2R2ML product

FWP201610P-2R2ML

Chokes

LeistungsinduktivitätSMD2,2µHGeschirmt

Der FWP201610P-2R2ML ist eine magnetisch geschirmte 2,2 µH Leistungsinduktivität im kompakten 2016 (0806) SMD-Gehäuse, optimiert für DC-DC-Wandler in mobilen Geräten.

Ideal für

  • Mobile Stromversorgung
  • Smartphones
  • Tablets

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spitzenströmen über 1,9 A
  • Stark vibrierende Umgebungen ohne ausreichende Platinenunterstützung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

Induktivität
2,2 µH
Sättigungsstrom
1,9 A
Gleichstromwiderstand
135 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

c0a5340000108c56205bdbd527d5a512_2209191800_cjiang--Changjiang-Microelectronics-Tech-FWP201610P-2R2ML_C5179461.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FWP201610P-2R2ML laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine drahtgewickelte, magnetisch geschirmte Leistungsinduktivität mit 2,2 µH, die speziell für effiziente DC-DC-Wandler in platzkritischen Anwendungen entwickelt wurde.