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FWP252012P-1R0ML KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FWP252012P-1R0ML product

FWP252012P-1R0ML

Chokes

LeistungsinduktivitätAbgeschirmtSMD1,0 µH

Die FWP252012P-1R0ML ist eine abgeschirmte 1,0 µH Leistungsinduktivität im 2520-Gehäuse, ideal für kompakte DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • Tragbare DC/DC-Wandler
  • Smartphone-Stromversorgung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spitzenströmen über 4,4 A
  • Umgebungen mit starken mechanischen Vibrationen ohne PCB-Unterstützung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr unter hoher Last

Wichtige Specs

Induktivität
1,0 µH
Sättigungsstrom
4,4 A
Gleichstromwiderstand
41 mΩ
Gehäuse
2520 (1008)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

16ea50d455b9221b4791dd1fbcd32972_2209191800_cjiang--Changjiang-Microelectronics-Tech-FWP252012P-1R0ML_C5179444.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FWP252012P-1R0ML laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine magnetisch abgeschirmte, drahtgewickelte Leistungsinduktivität mit 1,0 µH, die für effizientes Energiemanagement in kompakten Geräten entwickelt wurde.