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FZT855TA KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FZT855TA product

FZT855TA

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNMittlere LeistungSOT223

Der FZT855TA ist ein leistungsstarker 150V NPN-Transistor im SOT223-Gehäuse, der für Anwendungen mit hohen Strömen und effizientem Energiemanagement optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Hochstromtreiber

Vermeiden, wenn

  • Designs mit extrem begrenztem Platz, die kleinere Gehäuse als SOT223 erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität der Leiterplatte

Wichtige Specs

VCEO
150 V
IC (Dauerstrom)
5 A
VCE(sat)
< 110 mV @ 1A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290075.0

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

Diodes-Inc.-FZT855TA.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FZT855TA laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet eine Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) von 150V, einen kontinuierlichen Kollektorstrom von 5A, einen Spitzenstrom von 10A und eine sehr niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat) < 110mV bei 1A).