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G01N20LE-B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G01N20LE-B product

G01N20LE-B

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal190VSOT-23-3L

Der G01N20LE-B ist ein 190V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-3L-Gehäuse, der für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 1,7A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung bei kompakten Leiterplattenlayouts

Wichtige Specs

VDS
190 V
ID
1,7 A
RDS(ON)
< 0,70 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

39819284e72ec458fdf40aa79b091322_2403181120_GOFORD-G01N20LE-B_C22362812.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G01N20LE-B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung ausgelegt ist.