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G01N20LE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G01N20LE product

G01N20LE

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VLeistungsschalter

Der G01N20LE ist ein 200V N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET im SOT-23-3L-Gehäuse, der für Stromschaltanwendungen und DC/DC-Wandler geeignet ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Stromschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen kontinuierlichen Strom von mehr als 1,7A erfordern
  • Hochleistungsdesigns, die 1,5W Verlustleistung überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
200 V
ID
1,7 A
RDS(on)
< 0,85 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

StromschaltungDC/DC-Wandler

Datenblatt

320059f0f2ea85a155a2e65d9f489826_2212160808_GOFORD-G01N20LE_C2840756.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G01N20LE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G01N20LE ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der für Hochspannungsschaltanwendungen bis zu 200V entwickelt wurde.