ProjektePreiseInsights

G01N20RE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G01N20RE product

G01N20RE

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal200VTO-92

Der G01N20RE ist ein 200V, 1.7A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-92-Gehäuse, der für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler mit geringer Leistung
  • Kleinsignalschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 1.7A
  • Umgebungen mit hohen thermischen Anforderungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung des TO-92-Gehäuses

Wichtige Specs

VDS
200 V
ID
1.7 A
RDS(on)
< 1.5 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

263f8a1757cf5fcd36d42310b1b5c916_2212141909_GOFORD-G01N20RE_C1121840.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G01N20RE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung nutzt.