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G04P10HE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G04P10HE product

G04P10HE

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET100V

Der G04P10HE ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für Leistungsschaltanwendungen und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschalter
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Ströme oder einen niedrigeren RDS(on) erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen

Wichtige Specs

VDS
-100 V
ID
-4 A
RDS(on)
< 200 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
nan

Anwendung

LeistungsschalterDC/DC-Wandler

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G04P10HE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für -100V und -4A ausgelegt ist.