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G080N10M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G080N10M product

G080N10M

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der G080N10M ist ein leistungsstarker 100V, 180A N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie für niedrigen RDS(ON) und effizientes Schalten in Stromversorgungsanwendungen nutzt.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Stromverbrauch, die kleinere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
100V
ID
180A
RDS(on)
5,6mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

38a4cf689aff6e5ecb8cc2fb4afaf5fa_2307191059_GOFORD-G080N10M_C7465415.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G080N10M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G080N10M ist ein N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der für Hochstrom-Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler entwickelt wurde.