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G08N06S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G08N06S product

G08N06S

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VSOP-8

Der G08N06S ist ein 60V, 5A N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen deutlich über 5A
  • Umgebungen mit Temperaturen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
5 A
RDS(ON)
< 30 mΩ
Gehäuse
SOP-8

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

LeistungsschalterDC/DC-Wandler

Datenblatt

e9b039324e7b4460c6cc56d63119b545_2212231008_GOFORD-G08N06S_C840064.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G08N06S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G08N06S ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der für effiziente Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.