ProjektePreiseInsights

G09P02L KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G09P02L product

G09P02L

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTrench-Technologie

Der G09P02L ist ein P-Kanal-Enhancement-Mode-Leistungs-MOSFET im SOT-23-3L-Gehäuse, der für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über -20V
  • Ströme deutlich über -9A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-9 A
RDS(on)
< 23 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergieverwaltungDC/DC-Wandler

Datenblatt

760e600527d6977592210793b16e949a_2206281845_GOFORD-G09P02L_C3151763.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G09P02L laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G09P02L ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der auf Trench-Technologie basiert.