ProjektePreiseInsights

G1002L KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G1002L product

G1002L

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VSOT-23-3L

Der G1002L ist ein 100V, 2A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im SOT-23-3L-Gehäuse, ideal für Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit kontinuierlichem Strombedarf >2A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
2 A
RDS(on)
<250 mΩ
Gehäuse
SOT-23-3L

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungDC/DC-Wandler

Datenblatt

6f55cee298a431274de8655b42f3183a_2212160808_GOFORD-G1002L_C193984.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G1002L laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G1002L ist ein N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.