ProjektePreiseInsights

G1006LE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G1006LE product

G1006LE

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100V

Der G1006LE ist ein 100V, 3A N-Kanal-Trench-MOSFET im SOT-23-3L-Gehäuse, der für kompakte Leistungsschalt- und DC/DC-Wandleranwendungen geeignet ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 3A Dauerstrom

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen im SOT-23-3L-Gehäuse

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
3 A
RDS(on)
150 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungselektronik

Datenblatt

c3a293ee84bf787bd125a40f77ecde66_2212231008_GOFORD-G1006LE_C840057.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G1006LE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G1006LE ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET von Goford Semiconductor, der für niedrige Gate-Ladung und niedrigen Einschaltwiderstand optimiert ist.