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G110N06K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G110N06K product

G110N06K

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60V110A

Der G110N06K ist ein leistungsstarker 60V, 110A N-Kanal-MOSFET im TO-252-Gehäuse, optimiert für Hochstrom-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • PWM-Schaltungen
  • Lastschaltung
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen TO-252 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerfähigkeit

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
110 A
RDS(ON)
5,5 mΩ
PD
160 W

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

f00fc7f9d9508f43a907149a42f112a5_2212231008_GOFORD-G110N06K_C840052.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G110N06K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G110N06K ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der für Hochstrom-Schaltanwendungen wie PWM und USV entwickelt wurde.