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G110N06T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G110N06T product

G110N06T

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VTO-220

Der G110N06T ist ein 60V, 110A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse, der für hocheffiziente Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler entwickelt wurde.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
110 A
RDS(on)
6.4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

a2fba89e85cb3047c293392b64e1431c_products-detail.php.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G110N06T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie für einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung nutzt.