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G120P03S2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G120P03S2 product

G120P03S2

FETs

MOSFETP-KanalDual

Der G120P03S2 ist ein dualer P-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Power-Management- und Schaltanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,4 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RthJA = 90°C/W)

Wichtige Specs

VDS
-30V
ID
-16A
RDS(on)
< 14mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS non-compliant
REACH
Vendor Undefined
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

09b363f298a0a3aeb82835e6b8fbeddb_2209151800_GOFORD-G120P03S2_C5162379.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G120P03S2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.