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G12P03D3-B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G12P03D3-B product

G12P03D3-B

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalLeistungDFN3X3-8L

Der G12P03D3-B ist ein -30V P-Kanal-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, der für Stromschaltanwendungen und DC/DC-Wandler mit niedrigem RDS(ON) optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Stromschaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine N-Kanal-Polarität erfordern
  • Hochspannungssysteme über -30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-12 A
RDS(ON)
< 25 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

9d17a28620f816ac04a7f6ca2e87d345_2403181120_GOFORD-G12P03D3-B_C22362830.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G12P03D3-B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G12P03D3-B ist ein P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von GOFORD, der für hocheffiziente Energiemanagementanwendungen entwickelt wurde.