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G12P04K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G12P04K product

G12P04K

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTrench-TechnologieTO-252

Der G12P04K ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit -40V und -12A im TO-252-Gehäuse, optimiert für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochfrequenzschaltungen außerhalb der typischen Trench-MOSFET-Spezifikationen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-40 V
ID
-12 A
RDS(ON)
< 35 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
Vendor Undefined
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

cee558a72085761563bff556f0ad606a_2212230930_GOFORD-G12P04K_C3038557.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G12P04K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.