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G12P10KE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G12P10KE product

G12P10KE

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalLeistung

Der G12P10KE ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit -100V und -12A im TO-252-Gehäuse, optimiert für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • Leistungsschalter
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit höherem Strombedarf oder niedrigerem RDS(ON)

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

VDS
-100 V
ID
-12 A
RDS(ON)
<200 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
nan

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

ca80fb025925582d213e62e5d85a9393_2307191059_GOFORD-G12P10KE_C7465396.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G12P10KE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert.