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G170P03S2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G170P03S2 product

G170P03S2

MOSFETs - Arrays

MOSFETP-KanalDualSOP-8

Der G170P03S2 ist ein dualer P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Leistungsschaltanwendungen und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Designs mit hoher Leistung über 1,4 W

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-9 A
RDS(on)
< 18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

6b5586391be3c48e17f7cf16c9a2e183_products-detail.php.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G170P03S2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert und in einem SOP-8-Gehäuse geliefert wird.