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G170P06M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G170P06M product

G170P06M

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET60VTO-263

Der G170P06M ist ein leistungsstarker -60V P-Kanal-MOSFET, der für robuste Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschalter
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik oder Spannungen über -60V erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen und Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-65 A
RDS(on)
< 17 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

c47f585c15d49204773bb1fa08e20ec9_2312160131_GOFORD-G170P06M_C19673811.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G170P06M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand optimiert ist.