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G170P06S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G170P06S product

G170P06S

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOP-8Leistungsschalter

Der G170P06S ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit -60V und -12A im SOP-8-Gehäuse, optimiert für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • Leistungsschalter
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 12A Dauerstrom
  • Umgebungen mit Temperaturen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerungsanforderungen
  • Thermische Kapazität der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-12 A
RDS(on)
< 17 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

acef01ea754ede21c384ad524c0153ad_2312160131_GOFORD-G170P06S_C19673805.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G170P06S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G170P06S ist ein P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.