ProjektePreiseInsights

G1K1P06HH KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G1K1P06HH product

G1K1P06HH

FETs

MOSFETP-KanalSOT-223

Der G1K1P06HH ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor mit -60V und -4.5A, optimiert für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler im SOT-223-Gehäuse.

Ideal für

  • Leistungsschalter
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Ströme oder einen niedrigeren RDS(ON) erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen auf dem PCB.

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-4.5 A
RDS(ON)
< 110 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

d287c460b50dfef49c957c0863b259b6_2307191058_GOFORD-G1K1P06HH_C7465327.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G1K1P06HH laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.