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G1K2C10S2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G1K2C10S2 product

G1K2C10S2

MOSFETs - Single

MOSFETDual-KanalSOP-8

Der G1K2C10S2 ist ein dualer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Array im SOP-8-Gehäuse, der für Leistungsschalt- und DC/DC-Wandleranwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 3,5A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

NMOS VDS
100V
PMOS VDS
-100V
Gehäuse
SOP-8

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

c265cf5e1d3fb3f547e48cf60283f3f8_2307191058_GOFORD-G1K2C10S2_C7465382.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G1K2C10S2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen Enhancement-Mode-Leistungs-MOSFET mit einem N-Kanal- und einem P-Kanal-Bauteil in einem einzigen SOP-8-Gehäuse.