ProjektePreiseInsights

G1K3N10G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G1K3N10G product

G1K3N10G

FETs

MOSFETN-Kanal100VSOT-89

Der G1K3N10G ist ein 100V, 5A N-Kanal-MOSFET im SOT-89-Gehäuse, optimiert für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die mehr als 5A Dauerstrom oder eine höhere Verlustleistung als 1,5W erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeauslegung und Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
5 A
RDS(on)
130 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

ce40ebd1d538dead99f952df1fe5b81d_products-detail.php.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G1K3N10G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von GOFORD, der für effiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.