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G1K6P15K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G1K6P15K product

G1K6P15K

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalLeistungTO-252

Der G1K6P15K ist ein -150V, -24A P-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-Gehäuse, optimiert für Leistungsschaltanwendungen und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-MOSFETs erfordern
  • Designs mit extrem begrenztem Platz, bei denen TO-252 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

VDS
-150 V
ID
-24 A
RDS(on)
< 160 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

1a7f439e8dc12896606245fa686f1ada_2312160131_GOFORD-G1K6P15K_C19673854.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G1K6P15K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G1K6P15K ist ein P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der für Hochspannungs-Schaltanwendungen entwickelt wurde.