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G1K8P06S2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G1K8P06S2 product

G1K8P06S2

FETs

MOSFETP-KanalDualSOP-8

Der G1K8P06S2 ist ein dualer P-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, ausgelegt für -60V und -3.2A in Schalt- und DC/DC-Anwendungen.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über -3.2A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-60V
ID
-3.2A
RDS(on)
<170mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS non-compliant
REACH
Vendor Undefined
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

2783fbbeb9b5caae5dc7a444c8a960a2_products-detail.php.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G1K8P06S2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer P-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, optimiert für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung.