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G1NP02LLE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G1NP02LLE product

G1NP02LLE

FETs

MOSFETZweikanalTrench-Technologie

Der G1NP02LLE ist ein komplementäres N- und P-Kanal-MOSFET-Array, das für kompakte Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 1,3 A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
20V / -20V
ID
1,3A / -1,1A
RDS(ON)
210mΩ / 460mΩ
Gehäuse
SOT-23-6L

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS non-compliant
REACH
Vendor Undefined
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

a354ea3b039040b74128c9c9c23058f9_2307191058_GOFORD-G1NP02LLE_C7465318.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G1NP02LLE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein komplementäres N- und P-Kanal-Leistungs-MOSFET-Array, das auf Trench-Technologie basiert und in einem SOT-23-6L-Gehäuse geliefert wird.