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G2012 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G2012 product

G2012

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET20VDFN2x2-6L

Der G2012 ist ein 20V N-Kanal-MOSFET im kompakten DFN2x2-6L-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Niederspannungs-Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20V
ID
12A
RDS(ON)
<12mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergieverwaltungDC/DC-Wandler

Datenblatt

dcce9888a64cdd9f27cc51264cd29338_7_40_hb-462019.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G2012 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G2012 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der sich durch niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung auszeichnet.