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G20N03K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G20N03K product

G20N03K

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VLeistung

Der G20N03K ist ein 30V, 30A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Spannungen oder extrem kompakte Bauformen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr und Gate-Ansteuerspannung.

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
30 A
RDS(ON)
<20 mΩ
Gehäuse
TO-252

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergieverwaltungDC/DC-Wandler

Datenblatt

1102415db6427bc71752c47e9bff86ce_2212230930_GOFORD-G20N03K_C3038561.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G20N03K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G20N03K ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung nutzt.