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G23N06K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G23N06K product

G23N06K

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VTO-252

Der G23N06K ist ein 60V, 23A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen mit extrem niedriger Gate-Ladung
  • Anwendungen über 60V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
23 A
RDS(on)
< 35 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

39f4e7af3b3dc71417874cbab06b4f78_2212141409_GOFORD-G23N06K_C5258976.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G23N06K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G23N06K ist ein N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von GOFORD, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.