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G26N02K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G26N02K product

G26N02K

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalLeistung

Der G26N02K ist ein 20V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
26 A
RDS(on)
< 11,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

f99460eab4df55072c444edc0fba6b4b_2108301930_GOFORD-G26N02K_C2890999.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G26N02K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie.