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G26P04K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G26P04K product

G26P04K

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET40VTO-252

Der G26P04K ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler optimiert ist und sich durch einen niedrigen RDS(on) auszeichnet.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochfrequenzschalten jenseits der Gate-Ladungsgrenzen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-40 V
ID
-26 A
RDS(on)
< 18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

a08d67d117de49b948e5248574686251_2212141409_GOFORD-G26P04K_C5258958.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G26P04K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G26P04K ist ein P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der fortschrittliche Trench-Technologie für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung nutzt.