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G29 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G29 product

G29

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23Leistungsschalter

Der G29 ist ein P-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über -15V
  • Hochstromdesigns über -4,1A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-15 V
ID
-4,1 A
RDS(on)
< 30 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

7915bbec8d177bf4a626dddc686a591e_2212230930_GOFORD-G29_C5162380.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G29 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G29 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der für effizientes Schalten in kompakten Anwendungen entwickelt wurde.