ProjektePreiseInsights

G2K8P15K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G2K8P15K product

G2K8P15K

FETs

MOSFETP-Kanal150V

Der G2K8P15K ist ein P-Kanal-MOSFET mit -150V und -12A im TO-252-Gehäuse, der für Stromschaltanwendungen und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Stromschaltung
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Polarität erfordern
  • Extrem platzkritische Designs

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-150 V
ID
-12 A
RDS(on)
< 310 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

32c26535361c28e2241429aa5218b15f_GOFORD-G2K8P15K.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G2K8P15K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert.