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G3535N1VIRB2U12S 850NM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G3535N1VIRB2U12S 850NM product

G3535N1VIRB2U12S 850NM

Infrared Emitters

VCSELInfrarot850nm3W

Der G3535N1VIRB2U12S-850 ist ein 3W 850nm Infrarot-VCSEL-Emitter im 3,5x3,5mm SMD-Gehäuse, ideal für hochpräzise Sensoranwendungen.

Ideal für

  • TOF-Sensorik
  • LiDAR-Systeme
  • 3D-Modellierung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Konstantspannungsquelle ohne Risikobewertung erfordern
  • Umgebungen mit hoher Luftfeuchtigkeit oder korrosiven Gasen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsdesign
  • Kompatibilität der Konstantstromquelle

Wichtige Specs

Spitzenwellenlänge
850 nm
Optische Leistung
3 W
Gehäuse
3,5x3,5mm SMD

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

SensorAllgemein

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G3535N1VIRB2U12S 850NM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine leistungsstarke Infrarot-VCSEL-Diode mit einer Spitzenwellenlänge von 850nm und einer optischen Ausgangsleistung von 3W.