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G45P02D3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G45P02D3 product

G45P02D3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET20VDFN3x3

Der G45P02D3 ist ein P-Kanal-MOSFET mit -20V und -45A im DFN3x3-8L-Gehäuse, der für effizientes Schalten optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Sperrspannung über 20V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung im kompakten DFN3x3-8L-Gehäuse

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-45 A
RDS(ON)
< 9,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

f55dbc03fc3e435dc177bcb63ba4f38d_2212231008_GOFORD-G45P02D3_C5162402.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G45P02D3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der Trench-Technologie für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand nutzt.