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G4N60K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G4N60K product

G4N60K

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal600VLeistung

Der G4N60K ist ein 600V, 4A N-Kanal-Leistungs-MOSFET für hochfrequente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • USV-Systeme
  • Elektronische Vorschaltgeräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedrigem RDS(on) oder Strömen über 4A.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerung.

Wichtige Specs

Vdss
600V
Id
4A
RDS(on)
2,0Ω
Gehäuse
TO-252

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteilUSV

Datenblatt

4258fafb926107f2f8e60ec47f1c52f2_2009221905_GOFORD-G4N60K_C840048.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G4N60K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G4N60K ist ein 600V, 4A N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der für Stromversorgungsschaltungen optimiert ist.