ProjektePreiseInsights

G500P03IE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G500P03IE product

G500P03IE

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalSOT-23

Der G500P03IE ist ein P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Stromschaltanwendungen und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Stromschaltung
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen, die die thermischen Grenzen des SOT-23-Gehäuses überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Source-Schwellenspannung
  • Wärmewiderstand

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-4.6 A
RDS(on) @ -10V
< 55 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

dcb6378dfed52e6805adc7dfe09b6722_2312160131_GOFORD-G500P03IE_C19673826.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G500P03IE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G500P03IE ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.