ProjektePreiseInsights

G6N02L-B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G6N02L-B product

G6N02L-B

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal20VSOT-23-3

Der G6N02L-B ist ein 20V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-3-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
6 A
RDS(on)
< 15 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

13d24446d336d98211fdf4e3b74bcbe7_2403181120_GOFORD-G6N02L-B_C22362811.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G6N02L-B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der für effiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.