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G6N02L KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G6N02L product

G6N02L

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETTrench-Technologie20V

Der G6N02L ist ein 20V, 6A N-Kanal-Trench-MOSFET im SOT-23-3L-Gehäuse, der für niedrigen RDS(on) und effizientes Schalten optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 20V Drain-Source-Spannung
  • Hochstromanwendungen über 6A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
6 A
RDS(on)
< 11,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

16a9d2c22a58de59b839396d790b8c66_2201121830_GOFORD-G6N02L_C2938775.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G6N02L laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G6N02L ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET von Goford Semiconductor, der für effiziente Stromschaltanwendungen und DC/DC-Wandler entwickelt wurde.