G7K2N20HE Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Goford Semiconductor | PartGenie

KI-Zusammenfassung

G7K2N20HE product

Der G7K2N20HE ist ein 200V, 2A N-Kanal-MOSFET im SOT-223-Gehäuse, der fortschrittliche Trench-Technologie für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler nutzt.

Ideal für

DC/DC-Wandler
Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit Strömen über 2A
Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen
Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS: 200V
ID: 2A
RDS(on): 0,70Ω

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G7K2N20HE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandleranwendungen entwickelt wurde.